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CW32L010安(ān)全低功耗(hào)MCU,树立M0+产(chǎn)品行业新标杆!
2024年(nián)9月26日,武汉九游平台和芯源半导体(tǐ)CW32L010系列产品正式官方发布。这款产品以其(qí)卓越的产(chǎn)品性能,迅速在业界引起了(le)广泛关注,并成功树(shù)立M0+产品(pǐn)行(háng)业的新(xīn)标杆。
CW32L010系(xì)列产(chǎn)品(pǐn)是基于 eFlash 的单芯片低功耗(hào)微控制器,集成(chéng)了(le)主(zhǔ)频高达 48MHz 的(de) ARM® Cortex®-M0+ 内核(hé)、高速嵌入式存储器(多至 64K 字节 FLASH 和多至 4K 字节(jiē) SRAM)以及一系(xì)列全(quán)面的(de)增强型外设(shè)和(hé) I/O 口。
内部框图(tú)
所有型号都(dōu)提(tí)供全(quán)套(tào)的通信接口(二(èr)路(lù) UART、一路 SPI 和一路 I2C)、12 位(wèi)高速(sù) ADC、四组通(tōng)用和(hé)基本定时器、一组低功耗(hào)定时器以及一组高级控(kòng)制(zhì) PWM 定时器。
CW32L010 可以(yǐ)在 -40℃到 85℃的(de)温(wēn)度(dù)范围内工(gōng)作,供电(diàn)电压宽达 1.62V ~ 5.5V。支持 Sleep 和 DeepSleep两种低功耗工(gōng)作模式CW32L010 可以在 -40℃到 85℃的温度(dù)范围内工作,供(gòng)电电压宽达(dá) 1.62V ~ 5.5V。支持 Sleep 和(hé)DeepSleep两种低功(gōng)耗工作模式。
产(chǎn)品优势
1,64K超大(dà)Flash存储容(róng)量
在微(wēi)控制(zhì)器(MCU)的众多特性中(zhōng),eFlash存(cún)储容量是最主要的关键参数之一。CW32L010系列产品(pǐn)存储容量(liàng)最大 64K 字节 FLASH,数据保持 25 年 @-40℃ ~ +85℃,支持(chí)擦写保护、读保护和(hé)安全(quán)运行库保护功能。
确(què)保高(gāo)访问速度:可(kě)确保指令的快(kuài)速执行(háng),满足(zú)实时性要求高的应用场景。
易于升(shēng)级迭(dié)代:在(zài)同(tóng)等成本下(xià),扩大存储容量,为用户(hù)提供同级(jí)最宽裕的程序和(hé)非(fēi)易失存储空间,使得产品在面临功能升(shēng)级或迭代时,能够(gòu)更加灵活(huó)地进行软件更(gèng)新和扩展。
减(jiǎn)少EEPROM依赖:通过提供充足(zú)的非易失(shī)性存储,减少了对(duì)外部EEPROM的依赖,降低了系统成(chéng)本和复杂性。
耐(nài)用性(xìng)更高:Flash擦写寿命高达10,000次,符合标杆要求,确(què)保了产(chǎn)品的长期稳定运行。
2、黑客级(jí)代码(mǎ)安全防(fáng)护(hù)
在微控制器(MCU)领域,保护用户的代码和(hé)知识产权至关重要。CW32L010系列MCU,以其创(chuàng)新的安全特性,为用户提供了(le)一个坚不可摧的代码保(bǎo)护解决方案(àn)。
尽管目(mù)前大多数MCU都支持多种安全等级,阻止通(tōng)过SWD/ISP接(jiē)口读取Flash内(nèi)容(róng)。但通过下载(zǎi)间谍程序,用挟持(chí)内核(hé)的方式对(duì)Flash指令区做数(shù)据访问一般都被允(yǔn)许。
CW32L010系列产品可(kě)以阻止这个入侵,我们允许用户划定一块指令存储区域,只能(néng)通过指(zhǐ)令总线取指令执行(háng),不允许通过(guò)数据总线访问数据。在(zài)这个区域内,即使攻击者尝(cháng)试通过下载间谍(dié)程序挟持内核(hé),也无法访问这块(kuài)被保护的存储区域(yù)。用户可以将包含敏感(gǎn)算法和关键功能(néng)的(de)代码库存储在该区域,确保这些核(hé)心资产只能被调(diào)用,无法被复制或篡改(gǎi)。
3、极限超低功耗0.3uA,85℃高温漏电(diàn)仅1.2uA
超低功耗工(gōng)作模式(shì)非常多,一般用(yòng)户较关(guān)注待(dài)机电流(常温(wēn)/高(gāo)温(wēn))、全速(sù)运行电流等几个主要指标。
CW32L010采用特别工艺制程,将待机电流控制在0.3uA,高温待机电流是竞品(pǐn)平均水(shuǐ)平的1/4~1/8。
4、全新设计兼容G4相关IP的高级定时器(qì)
高级定时器通常用于三相PWM输出,经(jīng)常需(xū)要与ADC紧(jǐn)密(mì)配(pèi)合使用。我们全新设计了(le)高级定时器,在(zài)对G4相关(guān)IP兼容的同(tóng)时(shí)还增加了部分特色功能,例如(rú)PWM移相、多点比较等等,单(dān)个高级定时器支(zhī)持多达6对互(hù)补PWM输出。
多种灵活的PWM移相模式:在(zài)保持占(zhàn)空比不变的同时,可根据采(cǎi)样时(shí)机(jī)的需求(qiú)调整PWM边沿位置。
5、RTC补偿精(jīng)度是0.060ppm,支持(chí)亚秒(miǎo)级(jí)读数
CW32L010在设(shè)计时对RTC补偿机制进行了优化(huà),可选择32,128,256秒为一(yī)个补偿周(zhōu)期(qī),最(zuì)精(jīng)细的补偿精度(dù)可达到0.060ppm,支持(chí)亚秒(miǎo)级读数。
6、全面升级的低功(gōng)耗(hào)串口,支(zhī)持LIN、RS485硬件使能
低(dī)功耗(hào)串口接收数据(jù)可灵活配(pèi)置接口电平,可产(chǎn)生关键字中断和帧超时(shí)中断,支持LIN、RS485硬件使(shǐ)能、TXD和RXD互换及内部回环功能、LSB/MSB硬件转换。
7、85℃ Latch Up测试成(chéng)绩优异(yì),闩锁门限测试(shì)成绩高达±600mA
在MCU的设计和应用中,静电放电(ESD)的(de)防护能力是衡量产品可(kě)靠性(xìng)的重要指(zhǐ)标之一。其中高温Latch Up(闩锁)测(cè)试可以说明一定(dìng)问题,CW32L010在高温Latch Up(闩锁(suǒ))测试中表现出(chū)色,闩锁门限测试(shì)成绩高达±600mA,远高于行(háng)业一般水平,相比竞品一般(bān)水平为3~6倍(bèi)。强大的ESD防(fáng)护能(néng)够保护MCU内部数据(jù)不受静(jìng)电放电的影响(xiǎng)以及在各(gè)种(zhǒng)环境下的长(zhǎng)期(qī)稳定运行(háng)。
8、16路ADC输入2M采样率(lǜ),采(cǎi)样保(bǎo)持时间可独立配置
9、内部(bù)时钟源特性无(wú)惧挑剔
在当(dāng)前的电子(zǐ)市场,"低成本内(nèi)卷"已(yǐ)成(chéng)为一个不可忽视(shì)的(de)现象。在这一背景下,外(wài)置晶体(tǐ)的成(chéng)本优化变得(dé)尤(yóu)为重要,这一指标考验的是MCU内置RC时钟源的技(jì)术特性。CW32L010的内(nèi)置时钟源,不论是(shì)HSI还是LSI,都大幅(fú)优于竞(jìng)品。
CW32L010系列产品基于华虹半导(dǎo)体最新(xīn)的90nm超(chāo)低漏电嵌入式(shì)闪(shǎn)存(cún)工艺,极其出色的性能和更合理的(de)价(jià)格定位,为用户带来了极具竞争力的选择,实现了高性能(néng)与低成本的完美结合。
CW32L010系列产(chǎn)品提(tí)供 QFN20、TSSOP20、SOP16 三种(zhǒng)不同的封装形(xíng)式,不同封装(zhuāng)的产品(pǐn)所能(néng)实现的功(gōng)能有所不同,具(jù)体情况如下表所示:
CW32L010 家族产品功能(néng)列表
CW32L010系列产品的发布,是武汉芯(xīn)源半(bàn)导体对市场需求(qiú)的积极响应,也是(shì)公司持续创(chuàng)新和技术研(yán)发实力的展现。随着这款产品的正式上市,预计将推动公司业务的增长,并为合作伙伴和客户带(dài)来更(gèng)多价值(zhí)。让我们共同期待CW32L010系列产品在未来的精彩表现!同时(shí),我们也期(qī)待(dài)与您携手合(hé)作,共创更加美好的(de)未(wèi)来!