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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导（dǎo）通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

250

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

280

最大漏极电流Id(on)(A)：

15

驱（qū）动（dòng）电（diàn）压(V)：

10

通（tōng）道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220-3L/-55~125

描述（shù）：

650V,280mΩ,15A,N沟道基于（yú）超级结（jié）技术的（de）功（gōng）率MOSFET


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