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漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

100

导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

125

最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

30

通道极性：

N沟（gōu）道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描（miáo）述（shù）：

600V,125mΩ,30A,N沟道（dào）基于超级结技术的（de）功率（lǜ）MOSFET


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