九游平台-九游(中国)一站式服务平台



漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

120

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

150

最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

24

驱动电压(V)：

10

通道极性：

N沟道

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-247-3/-55~125

描述：

600V,150mΩ,24A,N沟道基于超（chāo）级结技术的功率MOSFET


九游平台-九游(中国)一站式服务平台

九游平台-九游(中国)一站式服务平台