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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

480

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

600

最大（dà）漏极（jí）电流（liú）Id(on)(A)：

7

通（tōng）道极性（xìng）：

N沟（gōu）道

封装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描述（shù）：

650V,600mΩ,5A,N沟道基于超（chāo）级结技术的（de）功（gōng）率MOSFET



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