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漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

700

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

380

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

430

最大漏极电流Id(on)(A)：

11

通道极性：

N沟（gōu）道

封装/温度（dù）(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描（miáo）述：

700V,430mΩ,11A,N沟道（dào）基于超（chāo）级结（jié）技（jì）术的功率MOSFET


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