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漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

700

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

900

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

1100

最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

5

通道（dào）极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描述（shù）：

700V,1100mΩ,5A,N沟道基（jī）于超级结技术的（de）功率MOSFET


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