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漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

700

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

850

最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

5

通道极性：

N沟道

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述（shù）：

650V,850mΩ,5A,N沟道基于超级结技术（shù）的功率MOSFET



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