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漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导（dǎo）通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

110

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

130

最大漏极电（diàn）流（liú）Id(on)(A)：

30

通（tōng）道极性（xìng）：

N沟道

封装/温（wēn）度（dù）(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

600V,130mΩ,30A,N沟（gōu）道基于超级结技术的功率MOSFET


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