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漏源电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

700

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

850

最大（dà）漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

5

通道极性（xìng）：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描（miáo）述（shù）：

650V,850mΩ,5A,N沟道基于超级结技术的功（gōng）率MOSFET



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