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漏（lòu）源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

70

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

74

最大漏（lòu）极（jí）电流Id(on)(A)：

47

通道极性（xìng）：

N沟道

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

描述：

650V,74mΩ,47A,N沟（gōu）道基于超级结技术的功率MOSFET



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