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漏源（yuán）电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

120

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

150

最大漏极电流Id(on)(A)：

24

驱动（dòng）电（diàn）压（yā）(V)：

10

通（tōng）道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3/-55~125

描（miáo）述：

600V,150mΩ,24A,N沟道基于超级结技（jì）术的功率MOSFET



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