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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

480

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

600

最大（dà）漏（lòu）极电流（liú）Id(on)(A)：

7

通（tōng）道（dào）极性（xìng）：

N沟道

封装/温度(℃)：

SOT-223-2L/-55~125

描述（shù）：

650V,600mΩ,7A,N沟道基于超级结技术（shù）的功率MOSFET


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