PRODUCT CENTER
产品（pǐn）中心
漏源电压BV DSS (V)(Min.)： | 600 |
导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 65 |
导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 70 |
最大漏极电流（liú）Id(on)(A)： | 47 |
通道极（jí）性： | N沟道 |
封（fēng）装/温（wēn）度(℃)： | TO-247-3L/-55~125 |
描述： | 600V,70mΩ,47A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET |
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