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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最（zuì）大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

20

驱动电压(V)：

10

通道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-247-3/-55~125

描述：

600V,190mΩ,20A,N沟道基于超（chāo）级结技（jì）术（shù）的功率（lǜ）MOSFET


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