九游平台-九游(中国)一站式服务平台



漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

300

导通电（diàn）阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

360

最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

11

通道极性：

N沟道（dào）

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

650V,360mΩ,11A,N沟道基于超级（jí）结技术的功率MOSFET


九游平台-九游(中国)一站式服务平台

九游平台-九游(中国)一站式服务平台