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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

75

导通（tōng）电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

90

最大漏极电流Id(on)(A)：

40

通道极性（xìng）：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

600V,90mΩ,40A,N沟（gōu）道基于超级结技术的功率MOSFET


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