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漏源（yuán）电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

600

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

150

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

180

最（zuì）大（dà）漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

20

通道极性：

N沟道（dào）

封（fēng）装（zhuāng）/温度（dù）(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

600V,180mΩ,20A,N沟道（dào）基于超级（jí）结技术的功率（lǜ）MOSFET


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